PDTB123YT,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PDTB123YT,215中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V
额定功率Max 250 mW
直流电流增益hFE 70
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
PDTB123YT,215引脚图与封装图
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在线购买PDTB123YT,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTB123YT,215 | NXP 恩智浦 | NXP PDTB123YT,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE | 搜索库存 |
替代型号PDTB123YT,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTB123YT,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 PNP 250mW | 当前型号 | NXP PDTB123YT,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -500 mA, 70 hFE | 当前型号 |
| 型号： PDTB123TT,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB PNP 250mW | 类似代替 | TO-236AB PNP 50V 500mA | PDTB123YT,215和PDTB123TT,215的区别 |
| 型号： PDTB123ET,215 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Nexperia PDTB123ET,215 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | PDTB123YT,215和PDTB123ET,215的区别 |