PESD5V0S2UQ,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PESD5V0S2UQ,115中文资料参数规格
技术参数
电容 215 pF
击穿电压 6.8 V
通道数 2
针脚数 3
耗散功率 150 W
钳位电压 20 V
测试电流 5 mA
脉冲峰值功率 150 W
最小反向击穿电压 6.4 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-663
外形尺寸
长度 1.7 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.6 mm
封装 SOT-663
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TA
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 通用
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PESD5V0S2UQ,115引脚图与封装图
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在线购买PESD5V0S2UQ,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PESD5V0S2UQ,115 | NXP 恩智浦 | NXP PESD5V0S2UQ,115 二极管, TVS, SOT-663 | 搜索库存 |
替代型号PESD5V0S2UQ,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PESD5V0S2UQ,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-663 | 当前型号 | NXP PESD5V0S2UQ,115 二极管, TVS, SOT-663 | 当前型号 |
| 型号： PESD5V0S2UQ 品牌： 恩智浦 封装： | 类似代替 | NXP PESD5V0S2UQ 静电保护装置, TVS, 6.8 V, SOT-663, 3 引脚 | PESD5V0S2UQ,115和PESD5V0S2UQ的区别 |
| 型号： UESD5.0DT5G 品牌： 安森美 封装： SOT-723-3 | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR UESD5.0DT5G 二极管阵列, TVS, 5V, SOT-723 | PESD5V0S2UQ,115和UESD5.0DT5G的区别 |