PDTA143TE,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
PDTA143TE,115中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 PNP
耗散功率 150 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-75-3
外形尺寸
封装 SC-75-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PDTA143TE,115引脚图与封装图
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在线购买PDTA143TE,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PDTA143TE,115 | NXP 恩智浦 | NXP PDTA143TE,115 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 150 mW, -100 mA, 200 hFE | 搜索库存 |
替代型号PDTA143TE,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PDTA143TE,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-416 PNP 150mW | 当前型号 | NXP PDTA143TE,115 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 150 mW, -100 mA, 200 hFE | 当前型号 |
| 型号： DTA143ZET1G 品牌： 安森美 封装： SC-75 PNP -50V -100mA 300mW | 功能相似 | PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | PDTA143TE,115和DTA143ZET1G的区别 |
| 型号： DTA143EET1G 品牌： 安森美 封装： SC-75 PNP -50V -100mA 300mW | 功能相似 | 双电阻器数字 PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | PDTA143TE,115和DTA143EET1G的区别 |
| 型号： PDTA143TE 品牌： 飞利浦 封装： | 功能相似 | PDTA143T series; PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7KΩ, R2 = open | PDTA143TE,115和PDTA143TE的区别 |