P6SMB82AT3中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 77.9 V
耗散功率 600 W
钳位电压 113 V
最大反向电压（Vrrm） 70.1V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 77.9 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
P6SMB82AT3引脚图与封装图
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在线购买P6SMB82AT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| P6SMB82AT3 | ON Semiconductor 安森美 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 搜索库存 |
替代型号P6SMB82AT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： P6SMB82AT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DO-214 | 当前型号 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 当前型号 |
| 型号： SMBJ70A-TR 品牌： 意法半导体 封装： SMD 70V 600W | 功能相似 | STMICROELECTRONICS SMBJ70A-TR TVS二极管, TVS, Transil SMBJ系列, 单向, 70 V, 113 V, SMD, 2 引脚 | P6SMB82AT3和SMBJ70A-TR的区别 |
| 型号： SMA6J70A-TR 品牌： 意法半导体 封装： SMA | 功能相似 | SMA6系列 600 W 81.9 V 单向 瞬态电压抑制器 - DO-214AC | P6SMB82AT3和SMA6J70A-TR的区别 |
| 型号： SMBJ70A 品牌： 力特 封装： DO-214AA 7V 600W | 功能相似 | 硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors | P6SMB82AT3和SMBJ70A的区别 |