P6SMB11AT3中文资料参数规格
技术参数
击穿电压 10.5 V
最大反向电压（Vrrm） 9.4V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 10.5 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
外形尺寸
封装 DO-214AA
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
P6SMB11AT3引脚图与封装图
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在线购买P6SMB11AT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| P6SMB11AT3 | ON Semiconductor 安森美 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 搜索库存 |
替代型号P6SMB11AT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： P6SMB11AT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DO-214AA | 当前型号 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 当前型号 |
| 型号： P6SMB11CAT3G 品牌： 安森美 封装： SMB 11V 600W | 类似代替 | 600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器，P6SMB 系列（双向）ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | P6SMB11AT3和P6SMB11CAT3G的区别 |