P6SMB100AT3中文资料参数规格
技术参数
工作电压 85.5 V
击穿电压 95 V
钳位电压 137 V
最大反向电压（Vrrm） 85.5V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 95 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
封装 DO-214AA-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
香港进出口证 NLR
P6SMB100AT3引脚图与封装图
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在线购买P6SMB100AT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| P6SMB100AT3 | ON Semiconductor 安森美 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 搜索库存 |
替代型号P6SMB100AT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： P6SMB100AT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DO-214AA | 当前型号 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 当前型号 |
| 型号： P6SMB100AT3G 品牌： 安森美 封装： DO-214AA 1A | 类似代替 | P6SMB系列 105 V 600 W 单向 齐纳 瞬态电压抑制器 | P6SMB100AT3和P6SMB100AT3G的区别 |
| 型号： P6SMB100A 品牌： 力特 封装： SMB | 功能相似 | 瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes | P6SMB100AT3和P6SMB100A的区别 |
| 型号： SMBJP6KE100A-TP 品牌： 美微科 封装： DO-214AA | 功能相似 | 单向 85.5V | P6SMB100AT3和SMBJP6KE100A-TP的区别 |