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PN2907AG

通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS PNP 60V 0.6A TO92


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box


PN2907AG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -600 mA

极性 PNP

耗散功率 625 mW

增益频宽积 200 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 75

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

PN2907AG引脚图与封装图
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在线购买PN2907AG
型号 制造商 描述 购买
PN2907AG ON Semiconductor 安森美 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon 搜索库存
替代型号PN2907AG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: PN2907AG

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-92 PNP -60V -600mA

当前型号

通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon

当前型号

型号: BC33725BU

品牌: 安森美

封装: TO-92-3 625mW

类似代替

ON Semiconductor BC33725BU , NPN 晶体管, 800mA, Vce=50 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装

PN2907AG和BC33725BU的区别

型号: BC33716BU

品牌: 安森美

封装: TO-92-3 625mW

类似代替

ON Semiconductor BC33716BU , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装

PN2907AG和BC33716BU的区别

型号: KSP2907ABU

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-92 PNP -60V -600mA 625mW

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PN2907AG和KSP2907ABU的区别