
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -600 mA
极性 PNP
耗散功率 625 mW
增益频宽积 200 MHz
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 75
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PN2907AG | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PN2907AG 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 PNP -60V -600mA | 当前型号 | 通用晶体管PNP硅 General Purpose Transistor PNP Silicon | 当前型号 | |
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型号: BC33716BU 品牌: 安森美 封装: TO-92-3 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor BC33716BU , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:60, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | PN2907AG和BC33716BU的区别 | |
型号: KSP2907ABU 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 PNP -60V -600mA 625mW | 功能相似 | PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | PN2907AG和KSP2907ABU的区别 |