
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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P2N2222ARL1G | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管( NPN硅) Amplifier TransistorsNPN Silicon | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: P2N2222ARL1G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: TO-92 NPN 40V 600mA | 当前型号 | 放大器晶体管( NPN硅) Amplifier TransistorsNPN Silicon | 当前型号 | |
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型号: KSP2222ATF 品牌: 安森美 封装: TO-92 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor KSP2222ATF , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:35, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | P2N2222ARL1G和KSP2222ATF的区别 |