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P2N2222ARL1G

P2N2222ARL1G

数据手册.pdf

放大器晶体管( NPN硅) Amplifier TransistorsNPN Silicon

Bipolar BJT Transistor NPN 40V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3


得捷:
TRANS NPN 40V 0.6A TO92


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R


P2N2222ARL1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 600 mA

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

P2N2222ARL1G引脚图与封装图
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在线购买P2N2222ARL1G
型号 制造商 描述 购买
P2N2222ARL1G ON Semiconductor 安森美 放大器晶体管( NPN硅) Amplifier TransistorsNPN Silicon 搜索库存
替代型号P2N2222ARL1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: P2N2222ARL1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-92 NPN 40V 600mA

当前型号

放大器晶体管( NPN硅) Amplifier TransistorsNPN Silicon

当前型号

型号: P2N2222AG

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 40V 600mA 625mW

完全替代

ON SEMICONDUCTOR  P2N2222AG.  放大器晶体管

P2N2222ARL1G和P2N2222AG的区别

型号: PN2222A-AP

品牌: 美微科

封装: TO-92 40V 600mA

完全替代

PN2222A 系列 40 V 600 mA 625 mW NPN 通用放大器 - TO-92-3

P2N2222ARL1G和PN2222A-AP的区别

型号: KSP2222ATF

品牌: 安森美

封装: TO-92 625mW

类似代替

ON Semiconductor KSP2222ATF , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:35, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装

P2N2222ARL1G和KSP2222ATF的区别