P2N2907A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -600 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
P2N2907A引脚图与封装图
暂无图片
在线购买P2N2907A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| P2N2907A | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管（ PNP硅） Amplifier TransistorPNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号P2N2907A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： P2N2907A 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 PNP -60V -600mA | 当前型号 | 放大器晶体管（ PNP硅） Amplifier TransistorPNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： KSP2907ABU 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -60V -600mA 625mW | 完全替代 | PNP 晶体管，60 至 160V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | P2N2907A和KSP2907ABU的区别 |
| 型号： PN2907ABU 品牌： 安森美 封装： TO-226-3 625mW | 完全替代 | PN系列 PNP 625 mW 60 V 800 mA 通孔 通用 晶体管-TO-92-3 | P2N2907A和PN2907ABU的区别 |
| 型号： BC33725TA 品牌： 安森美 封装： TO-92 625mW | 类似代替 | ON Semiconductor BC33725TA , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 | P2N2907A和BC33725TA的区别 |