P2N2222A中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
极性 N-Channel
耗散功率 1.5 W
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
P2N2222A引脚图与封装图
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在线购买P2N2222A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| P2N2222A | ON Semiconductor 安森美 | 放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier TransistorsNPN Silicon | 搜索库存 |
替代型号P2N2222A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： P2N2222A 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 N-Channel 40V 600mA 625mW | 当前型号 | 放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier TransistorsNPN Silicon | 当前型号 |
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