PTFA092211ELV4XWSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin Case 33288 Tray

RF Mosfet LDMOS 30V 1.75A 940MHz 18dB 220W H-33288-2

得捷:
FET RF LDMOS 220W H33288-2

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 33288 Tray

安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 3-Pin H-33288-2 Tray

PTFA092211ELV4XWSA1中文资料参数规格

技术参数

频率 940 MHz

输出功率 220 W

增益 18 dB

测试电流 1.75 A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 700000 mW

额定电压 65 V

封装参数

引脚数 3

封装 H-33288-2

外形尺寸

封装 H-33288-2

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PTFA092211ELV4XWSA1引脚图与封装图

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