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PT2559B/L2-F

PT2559B/L2-F

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光电晶体管 IR Phototransistor

Phototransistors 940nm Side View Radial, 3 Lead, Side View


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SENSOR PHOTO 940NM SIDE VIEW RAD


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PT2559B/L2-F


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PT2559B/L2-F中文资料参数规格
技术参数

波长 940 nm

峰值波长 940 nm

耗散功率 75 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

下降时间Max 15000 ns

上升时间Max 15000 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

耗散功率Max 75 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 Radial, 3 Lead, Side View

外形尺寸

高度 4.5 mm

封装 Radial, 3 Lead, Side View

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

PT2559B/L2-F引脚图与封装图
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