![P6SMB36CAHE3/52](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_281/chanpintu/p6smb36cahe352-5uy3tr17-yZ2OvWmaq.png)
击穿电压 34.2 V
钳位电压 49.9 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 34.2 V
安装方式 Surface Mount
封装 DO-214AA
封装 DO-214AA
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
P6SMB36CAHE3/52 | Vishay Semiconductor 威世 | Diode TVS Single Bi-Dir 30.8V 600W Automotive 2Pin SMB T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: P6SMB36CAHE3/52 品牌: Vishay Semiconductor 威世 封装: DO-214 | 当前型号 | Diode TVS Single Bi-Dir 30.8V 600W Automotive 2Pin SMB T/R | 当前型号 | |
型号: P6SMB36CA-E3/52 品牌: 威世 封装: SMB | 完全替代 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W,Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA SMBJ 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻,带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor | P6SMB36CAHE3/52和P6SMB36CA-E3/52的区别 | |
型号: P6SMB36CAHE3/5B 品牌: 威世 封装: DO-214 | 完全替代 | TRANSZORB® 瞬态电压抑制器 SMT 双向 600W,Vishay Semiconductor薄型 DO-214AA SMBJ 封装 极佳的夹持能力 非常快的响应时间 低电阻,带增量浪涌 ### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor | P6SMB36CAHE3/52和P6SMB36CAHE3/5B的区别 | |
型号: P6SMB36CA-M3/52 品牌: 威世 封装: | 完全替代 | Diode TVS Single Bi-Dir 30.8V 600W 2Pin SMB T/R | P6SMB36CAHE3/52和P6SMB36CA-M3/52的区别 |