P6SMB30AT3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
工作电压 25.6 V
额定功率 600 W
击穿电压 28.5 V
钳位电压 41.4 V
最大反向电压（Vrrm） 25.6V
测试电流 1 mA
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 28.5 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AA-2
外形尺寸
长度 4.57 mm
宽度 3.81 mm
高度 2.41 mm
封装 DO-214AA-2
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
P6SMB30AT3引脚图与封装图
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在线购买P6SMB30AT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| P6SMB30AT3 | ON Semiconductor 安森美 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 搜索库存 |
替代型号P6SMB30AT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： P6SMB30AT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： DO-214 30V 600W | 当前型号 | 600瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | 当前型号 |
| 型号： P6SMB30AT3G 品牌： 安森美 封装： DO-214 30V 600W | 类似代替 | 600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器，P6SMB 系列（双向）### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor | P6SMB30AT3和P6SMB30AT3G的区别 |
| 型号： P6SMBJ30A 品牌： 力特 封装： DO-214AA 30V 600W | 类似代替 | 硅雪崩二极管 - 600W表面贴装瞬态电压抑制器 Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors | P6SMB30AT3和P6SMBJ30A的区别 |
| 型号： SMA6J26A-TR 品牌： 意法半导体 封装： SMA | 功能相似 | SMA6系列 600 W 30.4 V 单向 瞬态电压抑制器 - DO-214AC | P6SMB30AT3和SMA6J26A-TR的区别 |