PBSS5580PA,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PBSS5580PA,115中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 140 @2A, 2V
最大电流放大倍数hFE 265
额定功率Max 2.1 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-3
外形尺寸
宽度 2.1 mm
封装 SOT-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PBSS5580PA,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS5580PA,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS5580PA,115 | NXP 恩智浦 | HUSON3 PNP 80V 4A | 搜索库存 |
替代型号PBSS5580PA,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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