电源电压DC 12.0 V
输出接口数 1
输入电压DC 10.8V ~ 13.2V
输出电压 0.55V ~ 1.8V
输出电流 12 A
静态电流 10.0 mA
拓扑结构 Buck
输入电压Max 13.2 V
输入电压Min 10.8 V
输出电流Max 12 A
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 10
封装 DIP-10
封装 DIP-10
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
PTH12010YAST引脚图
PTH12010YAST封装图
PTH12010YAST封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PTH12010YAST | TI 德州仪器 | 15非隔离DDR / QDR存储器总线终端模块 15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PTH12010YAST 品牌: TI 德州仪器 封装: DIP 1.8V 12A | 当前型号 | 15非隔离DDR / QDR存储器总线终端模块 15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES | 当前型号 | |
型号: PTH12010YAZ 品牌: 德州仪器 封装: Surface 1.8V 10.8V to 13.2V | 完全替代 | 15非隔离DDR / QDR存储器总线终端模块 15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES | PTH12010YAST和PTH12010YAZ的区别 | |
型号: PTH12010YAS 品牌: 德州仪器 封装: 10-SMD 1.8V 12A | 完全替代 | 15非隔离DDR / QDR存储器总线终端模块 15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES | PTH12010YAST和PTH12010YAS的区别 | |
型号: PTH12010YAZT 品牌: 德州仪器 封装: 1.8V 10.8V to 13.2V | 完全替代 | 15非隔离DDR / QDR存储器总线终端模块 15-A NON-ISOLATED DDR/QDR MEMORY BUS TERMINATION MODULES | PTH12010YAST和PTH12010YAZT的区别 |