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PD57006TR-E

PD57006TR-E

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RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

The most common usage for this RF MOSTFET from STMicroelectronics is in this power amplification mode. Its maximum power dissipation is 20000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. Its maximum frequency is 945 MHz. This RF power MOSFET has an operating temperature range of -65 °C to 165 °C. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode.

PD57006TR-E中文资料参数规格
技术参数

频率 945 MHz

耗散功率 20000 mW

漏源极电压Vds 65 V

输出功率 6 W

增益 15 dB

测试电流 70 mA

输入电容Ciss 27pF @28VVds

工作温度Max 165 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 20000 mW

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PowerSO-10RF

外形尺寸

封装 PowerSO-10RF

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 165℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

PD57006TR-E引脚图与封装图
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在线购买PD57006TR-E
型号 制造商 描述 购买
PD57006TR-E ST Microelectronics 意法半导体 RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs 搜索库存
替代型号PD57006TR-E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： PD57006TR-E

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： PowerSO-10RF

当前型号

RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

当前型号

型号： PD57006STR-E

品牌： 意法半导体

封装： PowerSO-10RF

完全替代

RF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

PD57006TR-E和PD57006STR-E的区别

型号： PD57006-E

品牌： 意法半导体

封装： SOIC N-Channel 1A

类似代替

STMICROELECTRONICS  PD57006-E  晶体管, 射频FET, 65 V, 1 A, 20 W, 925 MHz, 960 MHz, SOIC

PD57006TR-E和PD57006-E的区别

型号： PD57006S-E

品牌： 意法半导体

封装： PowerSO-10RF 20000mW

类似代替

LDMOST 系列 N沟道 增强模式 射频 功率晶体管 PowerSO-10RF

PD57006TR-E和PD57006S-E的区别