极性 PNP
耗散功率 0.15 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V
额定功率Max 150 mW
耗散功率Max 150 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-416-3
封装 SOT-416-3
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PDTA114TE,115 | NXP 恩智浦 | SC-75 PNP 50V 100mA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PDTA114TE,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SC-75 PNP | 当前型号 | SC-75 PNP 50V 100mA | 当前型号 | |
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型号: DTA114YET1G 品牌: 安森美 封装: SOT-416 PNP -50V -100mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR DTA114YET1G 晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SC-75 新 | PDTA114TE,115和DTA114YET1G的区别 |