极性 NPN
耗散功率 200 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 30 @20mA, 5V
额定功率Max 200 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PDTC123EU,115 | NXP 恩智浦 | SC-70 NPN 50V 100mA | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PDTC123EU,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SC-70 NPN 200mW | 当前型号 | SC-70 NPN 50V 100mA | 当前型号 | |
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型号: DTC143EUAT106 品牌: 罗姆半导体 封装: UMT3 NPN 50V 100mA 200mW | 功能相似 | NPN 100毫安50V数字晶体管(偏置电阻内置晶体管) NPN 100mA 50V Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistors | PDTC123EU,115和DTC143EUAT106的区别 | |
型号: DTC115EUAT106 品牌: 罗姆半导体 封装: SOT-323 NPN 50V 20mA 200mW | 功能相似 | NPN 0.1A 50V偏置电阻晶体管 | PDTC123EU,115和DTC115EUAT106的区别 |