PBHV8540T
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PBHV8540T中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Automotive, Industrial, Lighting, Motor Drive & Control
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PBHV8540T引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PBHV8540T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBHV8540T | NXP 恩智浦 | NXP PBHV8540T 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 30 MHz, 300 mW, 500 mA, 200 hFE | 搜索库存 |
替代型号PBHV8540T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBHV8540T 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-23 NPN | 当前型号 | NXP PBHV8540T 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 30 MHz, 300 mW, 500 mA, 200 hFE | 当前型号 |
| 型号： FMMT459TA 品牌： 美台 封装： SOT-23 NPN 450V 150mA 806mW | 功能相似 | DIODES INC. FMMT459TA 单晶体管 双极, NPN, 450 V, 50 MHz, 625 mW, 150 mA, 120 hFE | PBHV8540T和FMMT459TA的区别 |
| 型号： KST42MTF 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOT-23 NPN 300V 500mA 350mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KST42MTF 晶体管, NPN | PBHV8540T和KST42MTF的区别 |
| 型号： PBHV8540T,215 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 NPN | 功能相似 | NXP PBHV8540T,215 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 30 MHz, 300 mW, 500 mA, 200 hFE | PBHV8540T和PBHV8540T,215的区别 |