PBHV8140Z
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NXP
恩智浦
分立器件
PBHV8140Z中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
极性 NPN
耗散功率 730 mW
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100
直流电流增益hFE 155
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.45 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
外形尺寸
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.8 mm
封装 SOT-223
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Lighting, Automotive, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PBHV8140Z引脚图与封装图
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在线购买PBHV8140Z
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBHV8140Z | NXP 恩智浦 | NXP PBHV8140Z 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 25 MHz, 730 mW, 1 A, 155 hFE | 搜索库存 |
替代型号PBHV8140Z
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBHV8140Z 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-223 NPN | 当前型号 | NXP PBHV8140Z 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 25 MHz, 730 mW, 1 A, 155 hFE | 当前型号 |
| 型号： PBSS4021PZ 品牌： 恩智浦 封装： SOT-223 PNP | 类似代替 | NXP PBSS4021PZ 单晶体管 双极, PNP, -20 V, 85 MHz, 770 mW, -6.6 A, 400 hFE | PBHV8140Z和PBSS4021PZ的区别 |
| 型号： PBHV8140Z,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-223 NPN 1450mW | 功能相似 | NXP PBHV8140Z,115 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 25 MHz, 730 mW, 1 A, 155 hFE | PBHV8140Z和PBHV8140Z,115的区别 |
| 型号： FZT658 品牌： 威世 封装： SOT-223 NPN 2W | 功能相似 | DIODES INC. FZT658 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 50 MHz, 2 W, 500 mA, 50 hFE | PBHV8140Z和FZT658的区别 |