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NLAS5223BMNR2G

NLAS5223BMNR2G

数据手册.pdf
ON Semiconductor(安森美) 电子元器件分类

SPDT模拟开关,超低导通电阻

Ultra−Low Resistance Dual SPDT Analog Switch The NLAS5223B is an advanced CMOS analog switch fabricated in Sub−micron silicon gate CMOS technology. The device is a dual Independent Single Pole Double Throw SPDT switch featuring Single Supply Operation from 1.65−4.5 V Full 0−VCC Signal Handling Capability Low Standby Current, 50 nA Low Distortion Cell Phone Audio Block Speaker and Earphone Switching Ring−Tone Chip / Amplifier Switching Modems


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IC SWITCH DUAL SPDT 10WQFN


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NLAS5223BMNR2G


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Analog Switch Dual SPDT 10-Pin WQFN T/R


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NLAS5223BMNR2G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

输出接口数 4

触点类型 SPDT

供电电流 1 µA

电路数 2

通道数 2

输入数 2

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

3dB带宽 19 MHz

电源电压 1.65V ~ 4.5V

电源电压Max 4.5 V

电源电压Min 1.65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 WQFN-10

外形尺寸

长度 1.8 mm

宽度 1.4 mm

高度 0.75 mm

封装 WQFN-10

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

NLAS5223BMNR2G引脚图与封装图
NLAS5223BMNR2G引脚图

NLAS5223BMNR2G引脚图

NLAS5223BMNR2G封装图

NLAS5223BMNR2G封装图

NLAS5223BMNR2G封装焊盘图

NLAS5223BMNR2G封装焊盘图

在线购买NLAS5223BMNR2G
型号 制造商 描述 购买
NLAS5223BMNR2G ON Semiconductor 安森美 SPDT模拟开关,超低导通电阻 搜索库存
替代型号NLAS5223BMNR2G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: NLAS5223BMNR2G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: WQFN

当前型号

SPDT模拟开关,超低导通电阻

当前型号

型号: NLAS5223BLMNR2G

品牌: 安森美

封装: WQFN

完全替代

SPDT模拟开关,超低导通电阻

NLAS5223BMNR2G和NLAS5223BLMNR2G的区别

型号: NLAS5223BMUR2G

品牌: 安森美

封装: UQFN

完全替代

2.8V,双SPDT模拟开关,无铅

NLAS5223BMNR2G和NLAS5223BMUR2G的区别

型号: NLAS5223MNR2G

品牌: 安森美

封装: WQFN

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