NLAS44599MNG中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
触点类型 DPDT
供电电流 4 µA
电路数 2
位数 2
耗散功率 800 mW
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
3dB带宽 175 MHz
耗散功率Max 800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 16
封装 QFN-16
外形尺寸
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 0.87 mm
封装 QFN-16
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 125℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
NLAS44599MNG引脚图与封装图 
NLAS44599MNG引脚图
NLAS44599MNG封装图
NLAS44599MNG封装焊盘图
在线购买NLAS44599MNG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NLAS44599MNG | ON Semiconductor 安森美 | DPDT模拟开关,无铅 | 搜索库存 |
替代型号NLAS44599MNG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NLAS44599MNG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： QFN 2Bit 16Pin | 当前型号 | DPDT模拟开关,无铅 | 当前型号 |
| 型号： NLAS44599MN 品牌： 安森美 封装： QFN 16Pin | 完全替代 | 低电压单电源双DPDT模拟开关 Low Voltage Single Supply Dual DPDT Analog Switch | NLAS44599MNG和NLAS44599MN的区别 |