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NSQA6V8AW5T2G

NSQA6V8AW5T2G

数据手册.pdf

ESD 保护阵列### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 5V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 6.8V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 20W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 1.6A 额定耗散功率PdPower dissipation| 0.38W/380mW Description & Applications| Features • Transient Voltage Suppressor • ESD Protection Diode with Low Clamping voltage • Small SC−88A SMT Package • Stand Off Voltage: 5 V • Low Leakage Current < 1 uA • Four Separate Unidirectional Configurations for Protection • ESD Protection: IEC61000−4−2: Level 4 MILSTD 883C − Method 3015−6: Class 3 • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 特性 •瞬态电压抑制器 •低钳位电压 •小型SC-88A SMT封装 •待机关闭电压:5 V •低漏电流小于1uA四个单独的单向配置保护 •ESD保护:IEC61000-4-2第4级MIL-STD883C - 方法3015-6:3级 •无铅包装可用

NSQA6V8AW5T2G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 6.80 V

工作电压 5 V

电容 15 pF

额定功率 20.0 W

无卤素状态 Halogen Free

击穿电压 6.8 V

电路数 4

通道数 4

针脚数 5

耗散功率 380 mW

钳位电压 13 V

最大反向电压(Vrrm) 5V

测试电流 1 mA

最大反向击穿电压 7.1 V

脉冲峰值功率 20 W

最小反向击穿电压 6.4 V

最大反向漏电流(Ir) 0.05uA

击穿电压 6.4 V

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温 -40℃ ~ 125℃

耗散功率Max 380 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SC-70-5

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-5

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

NSQA6V8AW5T2G引脚图与封装图
NSQA6V8AW5T2G引脚图

NSQA6V8AW5T2G引脚图

NSQA6V8AW5T2G封装焊盘图

NSQA6V8AW5T2G封装焊盘图

在线购买NSQA6V8AW5T2G
型号 制造商 描述 购买
NSQA6V8AW5T2G ON Semiconductor 安森美 ESD 保护阵列 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor 搜索库存
替代型号NSQA6V8AW5T2G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: NSQA6V8AW5T2G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SOT-323 6.8V 20W

当前型号

ESD 保护阵列### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

当前型号

型号: NSQA6V8AW5T2

品牌: 安森美

封装: 5-TSSOP 6.8V 20W

类似代替

20W四共阳TVS

NSQA6V8AW5T2G和NSQA6V8AW5T2的区别