频率 125 MHz
电源电压DC 3.13V min
工作电压 4.6 V
供电电流 126 mA
电路数 1
占空比 50 %
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.465V
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 TSSOP-28
长度 9.6 mm
宽度 4.5 mm
高度 1.05 mm
封装 TSSOP-28
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Networking, Computing and Peripherals, Industrial Equipment, Consumer, PCIe Clock Generation Gen 1, Gen 2 and Gen 3
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
NB3N51044DTG引脚图
NB3N51044DTG封装图
NB3N51044DTG封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| NB3N51044DTG | ON Semiconductor 安森美 | 时钟发生器，On Semiconductor 发射器耦合逻辑 ECL 算术功能，如计数器、分频器 ### 时钟发生器/缓冲器 | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： NB3N51044DTG 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 28-TSSOP 125MHz 3.13V 28Pin | 当前型号 | 时钟发生器，On Semiconductor发射器耦合逻辑 ECL 算术功能，如计数器、分频器 ### 时钟发生器/缓冲器 | 当前型号 |
| 型号： NB3N51044DTR2G 品牌： 安森美 封装： 28-TSSOP 125MHz 3.13V 28Pin | 完全替代 | NB3N51044: 时钟产生器，3.3 V，晶振至 100 MHz / 125MHz，四路 HCSL / LVDS | NB3N51044DTG和NB3N51044DTR2G的区别 |
| 型号： SI52112-A1-GM2 品牌： 芯科 封装： TDFN 100MHz 3.13V 10Pin | 功能相似 | SILICON LABS SI52112-A1-GM2 芯片, 时钟发生器, 100MHZ, TDFN-10 | NB3N51044DTG和SI52112-A1-GM2的区别 |
| 型号： SI52112-B3-GM2 品牌： 芯科 封装： TDFN-10 100MHz 3.13V 10Pin | 功能相似 | SILICON LABS SI52112-B3-GM2 芯片, 时钟发生器, 100MHZ, TDFN-10 | NB3N51044DTG和SI52112-B3-GM2的区别 |
