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MJD112TF

ON Semiconductor MJD112TF NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 DPAK TO-252封装

复合 NPN ,Fairchild Semiconductor


得捷:
TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK


欧时:
ON Semiconductor MJD112TF NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 DPAK TO-252封装


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 25 MHz, 20 W, 2 A, 200 hFE


艾睿:
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
MJD112 Series 100 V 2 A SMT NPN Silicon Darlington Transistor - TO-252-3


Verical:
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


MJD112TF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

耗散功率 1.75 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @2A, 3V

额定功率Max 1.75 W

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 25MHz Min

耗散功率Max 1750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.8 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MJD112TF引脚图与封装图
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在线购买MJD112TF
型号 制造商 描述 购买
MJD112TF ON Semiconductor 安森美 ON Semiconductor MJD112TF NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 DPAK TO-252封装 搜索库存
替代型号MJD112TF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MJD112TF

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: DPAK-3 1750mW

当前型号

ON Semiconductor MJD112TF NPN 达林顿晶体管对, 2 A, Vce=100 V, HFE=200, 3引脚 DPAK TO-252封装

当前型号

型号: MJD112T4G

品牌: 安森美

封装: DPAK NPN 100V 2A 1750mW

类似代替

ON SEMICONDUCTOR  MJD112T4G.  达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAK

MJD112TF和MJD112T4G的区别

型号: MJD112G

品牌: 安森美

封装: DPAK NPN 100V 2A 1750mW

类似代替

NPN 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

MJD112TF和MJD112G的区别

型号: MJD112RLG

品牌: 安森美

封装: DPAK NPN 100V 2A 1750mW

类似代替

互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors

MJD112TF和MJD112RLG的区别