M29W128FL70N6E
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ST Microelectronics
意法半导体
主动器件
M29W128FL70N6E中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 70.0 GHz
存取时间 70.0 ns
内存容量 128000000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSOP-56
外形尺寸
封装 TSOP-56
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
M29W128FL70N6E引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| M29W128FL70N6E | ST Microelectronics 意法半导体 | NOR闪存 STD FLASH 128 MEG | 搜索库存 |
替代型号M29W128FL70N6E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： M29W128FL70N6E 品牌： ST Microelectronics 意法半导体 封装： TSOP 128000000B 3.3V 70ns | 当前型号 | NOR闪存 STD FLASH 128 MEG | 当前型号 |
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| 型号： M29W128GL70N6E 品牌： 镁光 封装： TSOP | 功能相似 | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 128Mbit 16M/8M x 8Bit/16Bit 70ns 56Pin TSOP Tray | M29W128FL70N6E和M29W128GL70N6E的区别 |
