MT47H128M4B6-3:D TR

Micron(镁光) 主动器件

IC SDRAM 512Mbit 333MHz 60FBGA

SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb（128M x 4）并联 333 MHz 450 ps 60-FBGA

得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

Win Source:
IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 60FBGA

MT47H128M4B6-3:D TR中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max

时钟频率 667MHz max

存取时间 3.00 ns

内存容量 512000000 B

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

MT47H128M4B6-3:D TR引脚图与封装图

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