MRF8S21140HR3
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
主动器件
MRF8S21140HR3中文资料参数规格
技术参数
频率 2.14 GHz
输出功率 34 W
增益 17.9 dB
测试电流 970 mA
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 65 V
封装参数
引脚数 3
封装 NI-780H-2L
外形尺寸
高度 4.32 mm
封装 NI-780H-2L
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MRF8S21140HR3引脚图与封装图
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在线购买MRF8S21140HR3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MRF8S21140HR3 | NXP 恩智浦 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin NI-780 T/R | 搜索库存 |
替代型号MRF8S21140HR3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MRF8S21140HR3 品牌： NXP 恩智浦 封装： NI-780 | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3Pin NI-780 T/R | 当前型号 |
| 型号： S2901 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | RF POWER, FET | MRF8S21140HR3和S2901的区别 |