MUBW30-06A7
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
MUBW30-06A7中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 180000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 1.6nF @25V
额定功率Max 180 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 180000 mW
封装参数
安装方式 Chassis
引脚数 25
封装 E2
外形尺寸
封装 E2
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MUBW30-06A7引脚图与封装图
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在线购买MUBW30-06A7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUBW30-06A7 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 180000mW 25Pin | 搜索库存 |
替代型号MUBW30-06A7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUBW30-06A7 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E2 180000mW | 当前型号 | Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 180000mW 25Pin | 当前型号 |
| 型号： BSM30GP60 品牌： Eupec 封装： 180W | 功能相似 | Trans Igbt Module n-Ch 600V 50A. | MUBW30-06A7和BSM30GP60的区别 |