BSM30GP60、MUBW30-06A7、SKIIP31NAB06对比区别

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型号 BSM30GP60 MUBW30-06A7 SKIIP31NAB06

描述 Trans Igbt Module n-Ch 600V 50A.Trans IGBT Module N-CH 600V 50A 180000mW 25PinIGBT POWER MODULE

数据手册 ---

制造商 Eupec IXYS Semiconductor Semikron (赛米控)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Screw Chassis -

引脚数 - 25 -

封装 - E2 CASE M3

耗散功率 180 W 180000 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V -

输入电容(Cies) - 1.6nF @25V -

额定功率(Max) - 180 W -

工作温度(Max) - 125 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 180000 mW -

封装 - E2 CASE M3

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -