MWI25-12A7
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IXYS Semiconductor
分立器件
MWI25-12A7中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 225000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 1.65nF @25V
额定功率Max 225 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 225000 mW
封装参数
安装方式 Screw
引脚数 24
封装 E2-Pack
外形尺寸
高度 17 mm
封装 E2-Pack
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MWI25-12A7引脚图与封装图
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在线购买MWI25-12A7
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MWI25-12A7 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225000mW 24Pin E2-Pack | 搜索库存 |
替代型号MWI25-12A7
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MWI25-12A7 品牌： IXYS Semiconductor 封装： E2 225000mW | 当前型号 | Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225000mW 24Pin E2-Pack | 当前型号 |
| 型号： BSM35GD120DN2 品牌： 西门子 封装： | 功能相似 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A IC, 1200V VBRCES, N-Channel | MWI25-12A7和BSM35GD120DN2的区别 |
| 型号： SM35 品牌： 西门子 封装： | 功能相似 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A IC, 1200V VBRCES, N-Channel | MWI25-12A7和SM35的区别 |