MWI25-12A7、SM35、BSM35GD120DN2E3224对比区别

高亮显示差异参数

型号 MWI25-12A7 SM35 BSM35GD120DN2E3224

描述 Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225000mW 24Pin E2-PackInsulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-ChannelInsulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor Siemens Semiconductor (西门子) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 IGBT晶体管

安装方式 Screw - -

引脚数 24 - -

封装 E2-Pack - -

耗散功率 225000 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - -

输入电容(Cies) 1.65nF @25V - -

额定功率(Max) 225 W - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

耗散功率(Max) 225000 mW - -

高度 17 mm - -

封装 E2-Pack - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -