MMIX1F230N20T
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IXYS Semiconductor
分立器件
MMIX1F230N20T中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 600W Tc
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 156A
输入电容Ciss 28000pF @25VVds
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 600W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 24
封装 PowerSMD-24
外形尺寸
长度 25.25 mm
宽度 23.25 mm
高度 5.7 mm
封装 PowerSMD-24
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MMIX1F230N20T引脚图与封装图
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在线购买MMIX1F230N20T
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMIX1F230N20T | IXYS Semiconductor | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 搜索库存 |
替代型号MMIX1F230N20T
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMIX1F230N20T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： SMPD-24 N-CH 200V 156A | 当前型号 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 当前型号 |
| 型号： IXFR230N20T 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 N-CH 200V 156A | 类似代替 | ISOPLUS N-CH 200V 156A | MMIX1F230N20T和IXFR230N20T的区别 |