锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IXFR230N20T、MMIX1F230N20T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFR230N20T MMIX1F230N20T

描述 ISOPLUS N-CH 200V 156AN 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount

引脚数 3 24

封装 TO-247-3 PowerSMD-24

极性 N-CH N-CH

耗散功率 600W (Tc) 600W (Tc)

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 156A 156A

上升时间 35 ns -

输入电容(Ciss) 28000pF @25V(Vds) 28000pF @25V(Vds)

下降时间 29 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc)

封装 TO-247-3 PowerSMD-24

长度 - 25.25 mm

宽度 - 23.25 mm

高度 - 5.7 mm

材质 Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free