MRF134
数据手册.pdf
M/A-Com
主动器件
MRF134中文资料参数规格
技术参数
频率 400 MHz
额定电流 900 mA
额定功率 17.5 W
耗散功率 17.5 W
阈值电压 3.5 V
漏源击穿电压 65 V
输出功率 5 W
增益 11 dB
测试电流 50 mA
输入电容Ciss 7pF @28VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 17500 mW
额定电压 65 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 211-07
外形尺寸
封装 211-07
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
MRF134引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MRF134
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MRF134 品牌： M/A-Com 封装： Case | 当前型号 | MOSFET晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB | 当前型号 |
| 型号： BLF242 品牌： 恩智浦 封装： SOT N-Channel 65V 1A | 功能相似 | NXP BLF242 晶体管, 射频FET, 65 V, 1 A, 5 W, 25 MHz, 200 MHz, SOT-123A | MRF134和BLF242的区别 |
| 型号： DU2805S 品牌： M/A-Com 封装： | 功能相似 | 射频MOSFET功率晶体管， 5W ， 28V 2 - 175兆赫 RF MOSFET Power Transistor, 5W, 28V 2 - 175 MHz | MRF134和DU2805S的区别 |
| 型号： UFT5-28SL 品牌： Advanced Semiconductor 封装： | 功能相似 | RF Power Field-Effect Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MRF134和UFT5-28SL的区别 |