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BLF242、MRF134、SD2900对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF242 MRF134 SD2900

描述 NXP  BLF242  晶体管, 射频FET, 65 V, 1 A, 5 W, 25 MHz, 200 MHz, SOT-123AMOSFET晶体管 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dBMOSFET晶体管 N-Ch 65 Volt 0.9 Amp

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) M/A-Com ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Flange Surface Mount Screw

引脚数 4 4 -

封装 SOT-123 211-07 M113

电源电压(DC) 28.0 V - -

额定电压(DC) 65.0 V - 65.0 V

额定电流 1.00 A 900 mA 900 mA

针脚数 4 - -

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 5 W 17.5 W 21.9 W

漏源极电压(Vds) 65 V - 65.0 V

漏源击穿电压 65.0V (min) 65 V 65.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.00 A - 900 mA

输出功率 5.00 W 5 W 5 W

增益 13.0 dB 11 dB 16 dB

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

频率 - 400 MHz 400 MHz

输入电容 - - 8.50 pF

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

测试电流 - 50 mA 50 mA

额定电压 - 65 V 65 V

额定功率 - 17.5 W -

阈值电压 - 3.5 V -

输入电容(Ciss) - 7pF @28V(Vds) -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

耗散功率(Max) - 17500 mW -

封装 SOT-123 211-07 M113

产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray Tray Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 -