MUN5314DW1T1
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
MUN5314DW1T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
通道数 2
极性 NPN+PNP
耗散功率 187 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80
最大电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-88-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SC-88-6
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
MUN5314DW1T1引脚图与封装图
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在线购买MUN5314DW1T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN5314DW1T1 | ON Semiconductor 安森美 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | 搜索库存 |
替代型号MUN5314DW1T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN5314DW1T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-363 NPN+PNP 50V 100mA | 当前型号 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | 当前型号 |
| 型号： MUN5314DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MUN5314DW1T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-363 | MUN5314DW1T1和MUN5314DW1T1G的区别 |
| 型号： UMD9NTR 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-363 NPN 70mA 0.15W | 功能相似 | NPN+PNP 晶体管，ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | MUN5314DW1T1和UMD9NTR的区别 |
| 型号： DCX114YU-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-363 NPN+PNP 50V 70mA 200mW | 功能相似 | DCX114YU-7-F 编带 | MUN5314DW1T1和DCX114YU-7-F的区别 |