MMDF2N02ER2中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 25.0 V
额定电流 2.00 A
漏源极电阻 100 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.00 W
漏源极电压Vds 25 V
漏源击穿电压 25.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.60 A
输入电容Ciss 532pF @16VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMDF2N02ER2引脚图与封装图
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在线购买MMDF2N02ER2
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMDF2N02ER2 | ON Semiconductor 安森美 | 功率MOSFET 2安培， 25伏特N通道SO- 8 ，双 Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts N−Channel SO−8, Dual | 搜索库存 |
替代型号MMDF2N02ER2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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