MCH3486-TL-W中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 2A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 310pF @20VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
MCH3486-TL-W引脚图与封装图 
MCH3486-TL-W封装焊盘图
在线购买MCH3486-TL-W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MCH3486-TL-W | ON Semiconductor 安森美 | 60V,137mΩ,2A,单N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号MCH3486-TL-W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MCH3486-TL-W 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： MCPH N-CH 60V 2A | 当前型号 | 60V,137mΩ,2A,单N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： MCH3486-TL-H 品牌： 安森美 封装： SOT-323-3 | 功能相似 | 60V,2A,137mOhm单N沟道功率MOSFET | MCH3486-TL-W和MCH3486-TL-H的区别 |