MCH3376-TL-W中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 0.8 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.5A
上升时间 9.7 ns
输入电容Ciss 120pF @10VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MCH3376-TL-W引脚图与封装图
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在线购买MCH3376-TL-W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MCH3376-TL-W | ON Semiconductor 安森美 | 表面贴装型 P 通道 20V 1.5A（Ta） 800mW（Ta） 3-MCPH | 搜索库存 |
替代型号MCH3376-TL-W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MCH3376-TL-W 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： MCPH P-CH 20V 1.5A | 当前型号 | 表面贴装型 P 通道 20V 1.5A（Ta） 800mW（Ta） 3-MCPH | 当前型号 |
| 型号： MCH3376-TL-E 品牌： 安森美 封装： SOT-323-3 | 类似代替 | P 通道功率 MOSFET，20V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor | MCH3376-TL-W和MCH3376-TL-E的区别 |