MUN5137DW1T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSSOP-6
外形尺寸
封装 TSSOP-6
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MUN5137DW1T1引脚图与封装图
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在线购买MUN5137DW1T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN5137DW1T1 | ON Semiconductor 安森美 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | 搜索库存 |
替代型号MUN5137DW1T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN5137DW1T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-363 PNP -50V -100mA | 当前型号 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | 当前型号 |
| 型号： MUN5114DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 PNP -50V -100mA 385mW | 功能相似 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | MUN5137DW1T1和MUN5114DW1T1G的区别 |