MUN5235DW1T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-363
外形尺寸
封装 SOT-363
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MUN5235DW1T1引脚图与封装图
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在线购买MUN5235DW1T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN5235DW1T1 | ON Semiconductor 安森美 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | 搜索库存 |
替代型号MUN5235DW1T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN5235DW1T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA | 当前型号 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | 当前型号 |
| 型号： MUN5235DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW | 完全替代 | ON Semiconductor### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | MUN5235DW1T1和MUN5235DW1T1G的区别 |
| 型号： SMUN5235DW1T3G 品牌： 安森美 封装： 6-TSSOP NPN 385mW | 类似代替 | MUN5235DW1: 双 NPN 双极数字晶体管 BRT | MUN5235DW1T1和SMUN5235DW1T3G的区别 |
| 型号： SMUN5235DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 385mW | 功能相似 | MUN5235DW1 系列 50 V 100 mA 双 NPN 偏置 电阻 晶体管 - SOT-363 | MUN5235DW1T1和SMUN5235DW1T1G的区别 |