MBT3946DW1T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 200 A
极性 NPN+PNP
漏源击穿电压 40.0 V
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 150 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TSSOP-6
外形尺寸
封装 TSSOP-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
最小包装 3000
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
MBT3946DW1T1引脚图与封装图
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在线购买MBT3946DW1T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MBT3946DW1T1 | ON Semiconductor 安森美 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor | 搜索库存 |
替代型号MBT3946DW1T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MBT3946DW1T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： 6-TSSOP NPN PNP 40V 200A | 当前型号 | 双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor | 当前型号 |
| 型号： MBT3946DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 40V 200mA 150mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MBT3946DW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 150 mW, 200 mA, 250 hFE, SOT-363 | MBT3946DW1T1和MBT3946DW1T1G的区别 |
| 型号： MMDT3946-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-363 NPN 40V 200mA 200mW | 功能相似 | 特点•互补配对互补NPN/ PNP小信号表面贴装晶体管？•一个NPN，一个3904型3906型PNP•外延平面电路小片建设•适用于低功率放大和开关•超小型表面贴装封装？•无铅/ RoHS规定（注3） | MBT3946DW1T1和MMDT3946-7-F的区别 |
| 型号： MBT3946DW1T2G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 NPN 40V 200mA 150mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MBT3946DW1T2G 双极性晶体管, NPN/PNP, 双路 40V SC-88 | MBT3946DW1T1和MBT3946DW1T2G的区别 |