MUN5234T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 202 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 202 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
外形尺寸
长度 2.1 mm
宽度 1.24 mm
高度 0.85 mm
封装 SC-70-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MUN5234T1引脚图与封装图
暂无图片
替代型号MUN5234T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN5234T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 NPN 50V 100mA | 当前型号 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | 当前型号 |
| 型号： MUN5234T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-323 NPN 50V 100mA 310mW | 类似代替 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor | MUN5234T1和MUN5234T1G的区别 |
| 型号： PDTC124XU,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-323 NPN | 功能相似 | NXP PDTC124XU,115 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 80 hFE | MUN5234T1和PDTC124XU,115的区别 |