MUN2213JT1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 338 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MUN2213JT1G引脚图与封装图
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在线购买MUN2213JT1G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN2213JT1G | ON Semiconductor 安森美 | SC-59 NPN 50V 100mA | 搜索库存 |
替代型号MUN2213JT1G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN2213JT1G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-59 NPN 50V 100mA | 当前型号 | SC-59 NPN 50V 100mA | 当前型号 |
| 型号： DTC144EKAT146 品牌： 罗姆半导体 封装： SOT-346 NPN 50V 100mA 200mW | 功能相似 | ROHM DTC144EKAT146 单晶体管 双极, 数字式, NPN, 50 V, 250 MHz, 200 mW, 100 mA, 68 hFE | MUN2213JT1G和DTC144EKAT146的区别 |
| 型号： PDTC144ET,215 品牌： 安世 封装： TO-236AB | 功能相似 | PDTC144E 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN 配备电阻 晶体管 - SOT-23 | MUN2213JT1G和PDTC144ET,215的区别 |