MUN5235T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 202 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SC-70-3
外形尺寸
封装 SC-70-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MUN5235T1引脚图与封装图
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在线购买MUN5235T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN5235T1 | ON Semiconductor 安森美 | NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS | 搜索库存 |
替代型号MUN5235T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN5235T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-323 NPN 50V 100mA | 当前型号 | NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTORS | 当前型号 |
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| 型号： DTC123EM3T5G 品牌： 安森美 封装： SOT-723-3 NPN 50V 100mA 600mW | 功能相似 | NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | MUN5235T1和DTC123EM3T5G的区别 |
| 型号： PDTC123JU,115 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | NXP PDTC123JU,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 3引脚 UMT封装 | MUN5235T1和PDTC123JU,115的区别 |