MUN2233T1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 230 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 338 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.09 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MUN2233T1引脚图与封装图
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在线购买MUN2233T1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MUN2233T1 | ON Semiconductor 安森美 | NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号MUN2233T1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MUN2233T1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SC-59 NPN 50V 100mA | 当前型号 | NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： MUN2233T1G 品牌： 安森美 封装： SC-59 NPN 50V 100mA 338mW | 类似代替 | NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | MUN2233T1和MUN2233T1G的区别 |
| 型号： MUN2232T1G 品牌： 安森美 封装： SC-59 NPN 50V 100mA 338mW | 类似代替 | NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | MUN2233T1和MUN2232T1G的区别 |
| 型号： DTC143ZKAT146 品牌： 罗姆半导体 封装： 3SMT NPN 50V 100mA 200mW | 功能相似 | NPN 晶体管，ROHM ### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as Digital Transistors or Bias Resistor Transistors, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available. | MUN2233T1和DTC143ZKAT146的区别 |