MPSW01ARLRA中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 10.0 mW
集电极击穿电压 40.0 V
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 60 @100mA, 1V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MPSW01ARLRA引脚图与封装图
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在线购买MPSW01ARLRA
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MPSW01ARLRA | ON Semiconductor 安森美 | TO-92 NPN 40V 1A | 搜索库存 |
替代型号MPSW01ARLRA
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MPSW01ARLRA 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 1A 10mW | 当前型号 | TO-92 NPN 40V 1A | 当前型号 |
| 型号： MPSW01ARLRAG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 1A 1000mW | 类似代替 | 一瓦高电流晶体管NPN硅 One Watt High Current Transistors NPN Silicon | MPSW01ARLRA和MPSW01ARLRAG的区别 |
| 型号： MPSW01ARLRPG 品牌： 安森美 封装： TO-92 NPN 40V 1A 1W | 类似代替 | 一瓦高电流晶体管NPN硅 One Watt High Current Transistors NPN Silicon | MPSW01ARLRA和MPSW01ARLRPG的区别 |
| 型号： MPSW01A 品牌： 安森美 封装： TO92 NPN 40V 1A 1W | 类似代替 | 一瓦高电流晶体管（ NPN硅） One Watt High Current TransistorsNPN Silicon | MPSW01ARLRA和MPSW01A的区别 |