MMBT5401LT3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -150 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 150 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V
额定功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
MMBT5401LT3引脚图与封装图
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在线购买MMBT5401LT3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBT5401LT3 | ON Semiconductor 安森美 | 高压晶体管（ PNP硅） High Voltage TransistorPNP Silicon | 搜索库存 |
替代型号MMBT5401LT3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBT5401LT3 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 PNP -150V -500mA | 当前型号 | 高压晶体管（ PNP硅） High Voltage TransistorPNP Silicon | 当前型号 |
| 型号： MMBT5401LT3G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -150V -500mA 300mW | 完全替代 | ON SEMICONDUCTOR MMBT5401LT3G Bipolar BJT Single Transistor, AEC-Q101, PNP, -150 V, 300 MHz, 225 mW, -500 mA, 50 hFE 新 | MMBT5401LT3和MMBT5401LT3G的区别 |